CVD系統是借助于輝光放電等方法產生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。通過反應氣態放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式,低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點，工藝流程簡單。

流化床—粉體碳納米管生長設備通過流量計和靜態混氣室把氣體均勻混拌，通過上通氣，氣體通過雙層管（夾層管預熱氣體，內腔體生長碳納米管）確保通入的氣體進入生長腔體內溫度一直，通過多空陶瓷網的結構設計，從而解決均勻進氣的問題。使的生長腔體熱場流場穩定，確保得到高質量重復性好的碳納米管。